[发明专利]场发射像素管有效
| 申请号： | 200710076271.5 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101335175A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 杨远超;刘亮;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J31/15 | 分类号： | H01J31/15;H01J29/02;H01J29/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场发射像素管。所述的场发射像素管包括壳体、分别设置在壳体两端的阳极与阴极，所述阴极包括碳纳米管线，所述场发射像素管还包括屏蔽极，所述屏蔽极环绕所述碳纳米管线设置。所述场发射像素管中，屏蔽极可以屏蔽阳极的高电压，降低碳纳米管线表面电场强度，使碳纳米管线在高电压下可保持小的发射电流，符合理想的场发射像素管的工作条件。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 像素 | ||
【主权项】：
1.一种场发射像素管，其包括壳体、分别设置在壳体两端的阳极与阴极，所述阴极包括碳纳米管线，所述壳体一端设置有出光部，所述阳极对应所述出光部设置，其特征在于，所述场发射像素管还包括屏蔽极，所述屏蔽极环绕所述碳纳米管线设置于壳体表面。
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