[发明专利]离子源组件有效
| 申请号： | 200710074322.0 | 申请日： | 2007-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101303955A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 肖林;杨远超;潜力;刘亮;陈丕瑾;胡昭复;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J27/02 | 分类号： | H01J27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种离子源组件，该离子源组件包括冷阴极、栅极和离子加速极，冷阴极、栅极和离子加速极分别相向间隔设置，该栅极位于冷阴极与离子加速极之间，其中，冷阴极与栅极之间的距离小于或等于2毫米。该离子源组件的冷阴极采用碳纳米管作为场发射薄膜来发射电子，因此其具有低功耗、低放气率、发射电子稳定及抗离子轰击等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 离子源 组件 | ||
【主权项】：
1.一种离子源组件，包括冷阴极、栅极和离子加速极，冷阴极、栅极和离子加速极相互绝缘地间隔设置，该栅极位于冷阴极与离子加速极之间，其特征在于：冷阴极与栅极之间的距离小于或等于2毫米。
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