[发明专利]一种分散后修饰的纳米棒阵列电极的制备方法有效
| 申请号： | 200710072632.9 | 申请日： | 2007-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101165214A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 贾铮;刘静;沈炎宾 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C25B11/00 | 分类号： | C25B11/00;H01M4/02;G01N27/30 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 牟永林 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种分散后修饰的纳米棒阵列电极的制备方法，本发明涉及一种纳米棒阵列电极的制备方法，具体涉及模板法生长的金属纳米棒经分散后修饰的纳米棒阵列电极的制备方法。它克服了现有技术使纳米线电极丰富的电极表面积并未得到充分利用的缺陷。本发明提供的技术方案是：溶解掉模板法生长的金属纳米棒的模板，使纳米棒可以自由操纵；应用分散剂和超声处理，将纳米棒在溶剂中充分分散，避免团聚，形成单根纳米棒的分散溶液；通过调控分散溶液中纳米棒的浓度，实现以可控间距的方式将纳米棒修饰到基底电极表面上。这样形成的金属纳米棒阵列电极，可以充分利用纳米棒丰富的表面积，只需组装极少量的纳米棒即可实现超高的扩散流量和法拉第电流，具有超高的电催化活性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分散 修饰 纳米 阵列 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种分散后修饰的纳米棒阵列电极的制备方法，其特征在于它由下述步骤组成：一、溶解掉模板法生长的金属纳米棒的模板，使纳米棒可以自由操纵；二、应用分散剂和超声处理，将纳米棒在溶剂中充分分散，避免团聚，形成单根纳米棒的分散溶液；三、通过调控分散溶液中纳米棒的浓度，实现以可控间距的方式将纳米棒修饰到基底电极表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710072632.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种实现手机附加功能快速启动的手机和方法
- 下一篇：数控锥齿轮滚动检查机
