[发明专利]Zr:LiNbo3晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200710071636.5 | 申请日： | 2007-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN101024901A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 孙亮;徐玉恒;赵连城 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 单军 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | Zr:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。它为了解决铌酸锂晶体抗光损伤能力低，而提供的一种Zr:LiNbO3晶体及其制备方法。Zr:LiNbO3晶体由纯度都为99.99％的ZrO2、Nb2O5和LiCO3制成；其中ZrO2的掺杂量为ZrO2、Nb2O5和LiCO3总物质的量的4％～6％，Li与Nb的摩尔比为0.946。制备方法：(一)称取并混合ZrO2、Nb2O5和LiCO3；(二)提拉法进行晶体生长；(三)极化；(四)晶体切割后表面光学质量级抛光，即得到Zr:LiNbO3晶体。本发明Zr:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生；在保证了铌酸锂晶体原有优良性能的同时抗光损伤能力比5mol％Mg:LiNbO3，6.5％Zn:LiNbO3和4mol％Hf:LiNbO3分别提高了85％、100％和112％以上。本发明Zr:LiNbO3晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。 | ||
| 搜索关键词： | zr linbo sub 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、ZrP:LiNbO3晶体，其特征在于Zr:LiNbO3晶体由纯度都为99.99％的ZrO2、Nb2O5和LiCO3制成；其中ZrO2的掺杂量为ZrO2、Nb2O5和LiCO3总物质的量的4％～6％，Li与Nb的摩尔比为0.946。
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