[发明专利]一种P型掺氮的氧化亚铜薄膜材料及其制造方法无效
| 申请号： | 200710067663.5 | 申请日： | 2007-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101058484A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 季振国;张亚红 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C03C17/245 | 分类号： | C03C17/245;C23C14/08;C23C14/35;H01L21/203;H01L31/00 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所 | 代理人： | 连寿金 |
| 地址： | 310018浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种P型掺氮的氧化亚铜薄膜材料，其特征在于：该氧化亚铜薄膜材料中氮的掺杂浓度为1×1015cm－3～5×1019cm－3，材料的晶相结构为单一的氧化亚铜相，其分子式为Cu2O:N；该薄膜材料采用直流反应磁控溅射法制成，衬底为普通载波片，靶材是纯度为99.99％的紫铜圆片，工作气体和反应气体分别为氩气和氧气、氮气，气体纯度皆为99.999％，氧气与氮气的流量比为3∶2，沉积室内背底压强为1.2×10－3Pa～1.0Pa，衬底温度为常温至100℃，溅射电压为400V，电流为50mA，功率为20W，薄膜沉积时间为20分钟。同现有技术比较，本发明的优点是：掺氮能有效抑制了电子导电的N型氧化铜相的形成，同时能大幅提高薄膜材料的空穴浓度，具有空穴浓度高，电阻率低，制造工艺简单，无毒性，成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型掺氮 氧化亚铜 薄膜 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种P型掺氮的氧化亚铜薄膜材料，其特征在于：该氧化亚铜薄膜材料中含有1015-1019cm-3的氮，材料的晶相结构为单一的纯氧化亚铜相，其分子式为Cu2O:N。
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