[发明专利]ZnO金属肖特基接触的制备方法及其在紫外探测器中的应用

摘要

本发明公开了一种利用MBE低温生长法在ZnO单晶薄膜表面原位制备金属薄膜电极而形成肖特基接触的方法，尤其是超高真空原位沉积金属导电薄膜的方法。其步骤为：利用超高真空传样系统，将MBE生长室制备好的ZnO单晶薄膜样品直接经超高真空环境传送至电极蒸镀室，该室的样品台具有冷却功能，在这里，将ZnO薄膜样品冷却到室温以下(≤20℃)并维持，然后开始用MBE方法进行低温下金属薄膜的沉积。使用本方法能够获得在ZnO表面连续且均匀沉积的金属导电膜，可用于金属－半导体肖特基接触及相关器件的制备与研究，特别是通过金属银与n型ZnO所形成的良好肖特基结来制备高光电响应的ZnO基紫外探测器。

主权项

1.一种在ZnO单晶薄膜表面沉积金属导电薄膜的方法，其具体步骤如下：1)将MBE腔生长的单晶ZnO薄膜通过超高真空传样系统导入与之相连的电极蒸镀系统，该系统同样具备超高真空背景气压，同时它的样品台还具有冷却功能；2)在超高真空背景下，将ZnO薄膜样品冷却至室温以下并维持；3)在样品已达到低温的条件下，通过控制金属扩散炉的温度来沉积金属薄膜。