[发明专利]单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法

摘要

一种单结铟镓氮太阳能电池结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面，该成核层可增加衬底表面的成核密度；一非有意掺杂氮化镓缓冲层，该非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在低温氮化镓成核层的上面，该缓冲层可减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；一n型掺杂In_xGa_1－xN层，该n型掺杂In_xGa_1－xN层制作在非有意掺杂高阻氮化镓缓冲层的上面，该n型掺杂层是In_xGa_1－xN p－n结的一部分；一p型掺杂InxGal－xN层，该p型掺杂In_xGa_1－xN层制作在n型掺杂In_xGa_1－xN层的上面，该p型掺杂层是In_xGa_1－xN p－n结的一部分。

主权项

1.一种单结铟镓氮太阳能电池结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面，该成核层可增加衬底表面的成核密度；一非有意掺杂氮化镓缓冲层，该非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在低温氮化镓成核层的上面，该缓冲层可减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；一n型掺杂InxGa1-xN层，该n型掺杂InxGa1-xN层制作在非有意掺杂高阻氮化镓缓冲层的上面，该n型掺杂层是InxGa1-xN p-n结的一部分；一p型掺杂InxGa1-xN层，该p型掺杂InxGa1-xN层制作在n型掺杂InxGa1-xN层的上面，该p型掺杂层是InxGa1-xN p-n结的一部分。