[发明专利]液晶显示装置阵列基板的制造方法无效
| 申请号： | 200710047577.8 | 申请日： | 2007-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101424835A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 朱棋锋 | 申请（专利权）人： | 上海广电NEC液晶显示器有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G03F7/00;H01L27/12;H01L21/77;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 薛 琦 |
| 地址： | 201108上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种液晶显示装置阵列基板的制造方法，该液晶显示装置阵列基板包括一玻璃基板，依次形成于该玻璃基板上的栅极、绝缘层、源漏极金属膜、光刻胶，该制造方法包括以下步骤：对涂布光刻胶后的液晶显示装置阵列基板进行显影；对显影后的阵列基板进行第一次湿刻；对第一次湿刻后的阵列基板进行剥离光刻胶和D/I-PR再加工；D/I-PR再加工后进行硅岛和光刻胶的干刻；然后进行第二次湿刻；对第二次湿刻后的阵列基板进行沟道干刻。采用本发明的液晶显示装置阵列基板的制造方法可降低源极和漏极短路、漏极走线断开发生率。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种液晶显示装置阵列基板的制造方法，该阵列基板包括一玻璃基板，依次形成于该玻璃基板上的栅极、绝缘层、源漏极金属膜、光刻胶，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：对涂布光刻胶后的液晶显示装置阵列基板进行显影；对显影后的阵列基板进行第一次湿刻；对第一次湿刻后的阵列基板进行剥离光刻胶和漏极/硅岛-光刻胶再加工；漏极/硅岛-光刻胶再加工后进行硅岛和光刻胶的干刻；然后进行第二次湿刻；对第二次湿刻后的阵列基板进行沟道干刻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海广电NEC液晶显示器有限公司，未经上海广电NEC液晶显示器有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710047577.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液晶显示装置
- 下一篇：半穿透半反射式液晶显示面板
