[发明专利]半导体器件栅极底切尺寸是否符合要求的确定方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件栅极底切尺寸是否符合要求的确定方法，涉及半导体制造的检测领域。该确定方法首先建立栅极底切图形的模拟模块，其建立过程如下：取底切尺寸为零时半导体器件的电性参数值为标准值；取若干不同的底切尺寸值，分别测试半导体器件的电性参数值，建立底切尺寸与电性参数值的关系曲线；设定电性参数值的最大允许范围。然后提取蚀刻窗口以及蚀刻工艺数据，输入模拟模块内。接着根据输入数据，模拟模块模拟出底切图形，输出底切尺寸。根据建立的关系曲线，计算电性参数值，确认输出电性参数值是否在电性参数的最大允许范围内。与现有技术相比，采用本发明确定方法，可快速确认栅极底切尺寸是否在规格范围内，提高产品的良率。

主权项

1.一种半导体器件栅极底切尺寸是否符合要求的确定方法，其特征在于，该确定方法包括如下步骤：a.建立栅极底切图形的模拟模块，该模拟模块的建立包括如下子步骤：a1.设定栅极底切在半导体器件长度方向的尺寸为L，栅极底切在栅极厚度方向的尺寸为H，尺寸H、L定义为底切尺寸；a2.底切尺寸为零时，测试半导体器件的电性参数值，且定义为标准值；a3.取若干不同组的底切尺寸值，分别测试半导体器件的电性参数值，并且建立底切尺寸与电性参数值的关系曲线；a4.设定半导体器件的电性参数值的最大允许范围；b.提取蚀刻窗口以及蚀刻工艺数据，输入步骤a建立的模拟模块；c.根据输入数据，模拟模块模拟出蚀刻栅极的底切模拟图形，并输出底切尺寸；d.利用输出的底切尺寸，根据子步骤a3建立的关系曲线，计算电性参数值，然后确认输出电性参数值是否在电性参数的最大允许范围内。