[发明专利]掺硅无氢类金刚石薄膜的镀制方法无效
| 申请号： | 200710044873.2 | 申请日： | 2007-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN101109064A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 赵栋才;任妮;马占吉;肖更竭;武生虎 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/06;C23C14/54;C23C14/02 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利事务所 | 代理人： | 徐筱梅 |
| 地址： | 73003*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺硅无氢类金刚石薄膜的镀制方法，特点是采用含硅石墨作为靶材，利用脉冲电弧离子镀技术在金属表面镀制类金刚石薄膜，其具体步骤包括：将金属工件表面离子清洗和活化、镀制掺硅无氢类金刚石薄膜。本发明镀制的掺硅无氢类金刚石薄膜内应力低，大大提高了薄膜的韧性和耐磨损性能，它工艺简单，操作方便，重复性好，可广泛用于硅和各类金属工件表面耐磨损处理，适用于规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 掺硅无氢类 金刚石 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺硅无氢类金刚石薄膜的镀制方法，其特征在于包括下列步骤：a.将金属工件固定在电弧离子镀膜设备真空室内的工件转盘上并抽真空；b.将氩气通入真空室，并保持真空度的稳定，然后开启工件转盘、离子源将金属工件表面清洗和活化；c.关闭氩气和离子源，开启电弧源在金属工件表面沉积掺硅无氢类金刚石薄膜；d.关闭工件转盘，并保持真空一定时间后取出镀膜工件。
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