[发明专利]一种改善深沟槽刻蚀的氧化物硬掩模轮廓的方法有效
| 申请号： | 200710043587.4 | 申请日： | 2007-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101345193A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 钟鑫生;冯大贵;廖国彰;林新发;吴建兴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善深沟槽刻蚀硬掩模轮廓的方法，通过在去除多晶硅硬掩模之前，在开孔中填充光刻胶，在光刻胶保护暴露的硅衬底和氧化物轮廓的条件下去除硬掩模，然后在轮廓完整的氧化物硬掩模下，进行深沟槽刻蚀，以保证器件的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 深沟 刻蚀 氧化物 硬掩模 轮廓 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善深沟槽刻蚀硬掩模轮廓的方法，包括如下步骤：a)在硅衬底上依次形成氧化物层、氮化物层、电介质层、多晶硅层；b)形成光刻胶的深沟槽刻蚀图案；c)形成所述多晶硅层的开口；d)形成所述电介质层、氮化物层、氧化物层的开口；e)在所述开口中填充光刻胶；f)去除所述开口中的部分光刻胶；g)去除所述多晶硅层；h)去除所述开口中的全部光刻胶；i)进行深沟槽刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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