[发明专利]晶圆背面减薄工艺有效
| 申请号： | 200710042458.3 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101327572A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 黄河;陈建华;高大为;毛剑宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B29/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆背面减薄工艺，包括在两片晶圆的边缘间隙或晶圆与支撑载体的边缘间隙填入填充物质，然后对于晶圆背面进行研磨来减薄晶圆厚度，并在研磨完成后对于晶圆背面进行抛光。本发明晶圆背面减薄工艺使得晶圆边缘不致发生弯曲或者断裂，提高了晶圆减薄的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆背面减薄工艺，其特征在于，在两片晶圆的边缘间隙或晶圆与支撑载体的边缘间隙填入填充物质，然后对于晶圆背面进行研磨来减薄晶圆厚度，并在研磨完成后对于晶圆背面进行抛光。
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