[发明专利]修正接触孔金属覆盖层布图设计的方法有效

专利信息
申请号: 200710039737.4 申请日: 2007-04-20
公开(公告)号: CN101290904A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 洪齐元 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L27/02;G06F17/50
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 李勇
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种在多层集成电路布图设计中修正电路层覆盖接触孔图案的方法。当集成电路的设计规则收缩时,由于器件尺寸变小,对于多层集成电路结构来说要制作理想的电路金属层覆盖接触孔或通孔的图案非常困难。有时候会出现通孔或接触孔不能和电路对准,通孔或接触孔露出在金属电路之外的情况。本发明提供一种策略性放大金属电路层覆盖接触孔处图案尺寸的方法,用此方法修改电路层图案并对其进行光学近似修正后制作掩模,可以在晶片上光刻得到更好的图案轮廓,完全避免上述的问题。
搜索关键词: 修正 接触 金属 覆盖层 设计 方法
【主权项】:
1、一种修正通孔或者接触孔金属覆盖层布图设计的方法,其特征在于包括下列步骤:a.利用公式:放大值E=(a)2+(b)2+(c)2计算得到放大值,将其用于放大接触孔层中的接触孔图案的每一边;其中a表示金属关键尺寸变化值;b表示接触孔或通孔的关键尺寸变化值;c表示接触孔或通孔和金属线边缘之间误对准规格。
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