[发明专利]一种制备纳米薄膜的新方法无效
| 申请号： | 200710037117.7 | 申请日： | 2007-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101235506A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王军;严彪;殷俊林;尤富强;唐人剑;陈伯渠 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C23F17/00 | 分类号： | C23F17/00;C23C14/35;C21D1/26;C03C17/06 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 吴林松 |
| 地址： | 20009*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种新型的纳米磁性薄膜的制备工艺，它可以精确的控制纳米磁性薄膜的沉积速度，从而控制薄膜的厚度且尺寸分布比较均匀。同时，新工艺可以降低不同成分的原子在溅射过程中的选择性，延长靶材的使用寿命。最重要的是，新工艺可以选用新型的靶材，节约材料，简化工艺，对生产特别是小批量的科学研究有利。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 薄膜 新方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制备纳米薄膜的新方法，包括如下步骤：(1)根据薄膜成分，加工数个直径18-20毫米，厚度为0.5-2毫米的圆片靶材；(2)制备直径19-21毫米，厚度为0.5-2毫米凹坑，边缘有螺纹内孔的靶座；(3)用粘结剂将靶材同心定位粘接在相应的靶座上，充分干燥；(4)用表面刻蚀镀膜机磁控溅射，在基片上沉积制备成分均匀的薄膜；(5)对所得的薄膜材料进行真空退火，得到纳米晶化的磁性薄膜。
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