[发明专利]采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法

摘要

本发明涉及一种采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法。本发明采用扩散键合形式的金属键合工艺使在蓝宝石上生长制作的氮化镓发光二极管键合到低阻硅片上并实现欧姆接触。本发明通过采用扩散键合形式的金属键合工艺实现硅基氮化镓发光二极管的制作，具有键合工艺稳定、器件良率高、面积小且充分利用发光层的材料、衬底导电且导热性好的优点。

主权项

1、一种采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法，其特征在于所述的工艺步骤是：①在A衬底表面上依次外延出氮化镓缓冲层、n型氮化镓、发光量子阱层、p型氮化镓；②在p型氮化镓层上热蒸发或溅射金属层作欧姆接触和反射层③在反射层上和B衬底上热蒸发或溅射具有高原子扩散系数的金属层做为键合界面层；④选择以扩散键合形式的金属键合工艺；⑤剥离原先的A衬底；⑥做电极，形成器件；其中，步骤①所述的衬底A的材料为蓝宝石、铌酸锂或其它适合生长高质量GaN的衬底材料；步骤③所述的衬底B的材料为硅、铜或其它导热性和导电性好的衬底；步骤(4)采用金属键合为以金属互扩散形式的键合方式：金-金、铜-铜、铝-铝或铜-金，键合在250℃-700℃，真空度在104-10-3Pa或采用惰性气体保护，键合压强在0-50kg/cm2范围。