[发明专利]用于高速压控振荡器的差分电路延迟单元无效
| 申请号： | 200710035332.3 | 申请日： | 2007-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101102110A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 陈吉华;唐世民;张民选;李少青;赵振宇;陈怒兴;马剑武;何小威;吴宏;欧阳干;王建军;刘征;陈亮;王东林;王洪海 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | H03L7/099 | 分类号： | H03L7/099;H03K5/13 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 410073湖南省长沙市砚瓦池正街47号*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于高速压控振荡器的差分电路延迟单元，其中第一NMOS管M1和第二NMOS管M2组成差分对管，其栅极分别接差分输入IN+和IN-，交叉耦合的MOS管M3和M4漏极分别接差分输出OUT-和OUT+，栅极分别接差分输出OUT+和OUT-，用来进行延迟控制的第三PMOS管M5和第四PMOS管M6接在差分输出节点OUT-、OUT+和电源电压VDD之间，电压Vcont连接第三PMOS管M5和第四PMOS管M6的栅极，第三PMOS管M5和连接成二极管的第五PMOS管M7并联组成复合负载，第四PMOS管M6和连接成二极管的第六PMOS管M8并联组成复合负载，第五PMOS管M7和第六PMOS管M8恒导通。本发明是一种结构简单、具有更好的工艺移植性能、其负载具有更好线性度的用于高速压控振荡器的差分电路延迟单元。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高速 压控振荡器 电路 延迟 单元 | ||
【主权项】：
1、一种用于高速压控振荡器的差分电路延迟单元，其特征在于：它包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第一PMOS管M3、第二PMOS管M4、第三PMOS管M5、第四PMOS管M6、第五PMOS管M7和第六PMOS管M8，第一NMOS管M1和第二NMOS管M2组成差分对管，其栅极分别接差分输入IN+和IN-，交叉耦合的PMOS管M3和M4漏极分别接差分输出OUT-和OUT+，栅极分别接差分输出OUT+和OUT-，用来进行延迟控制的第三PMOS管M5和第四PMOS管M6接在差分输出节点OUT-、OUT+和电源电压VDD之间，电压Vcont连接第三PMOS管M5和第四PMOS管M6的栅极，第三PMOS管M5和连接成二极管的第五PMOS管M7并联组成复合负载，第四PMOS管M6和连接成二极管的第六PMOS管M8并联组成复合负载，第五PMOS管M7和第六PMOS管M8恒导通。
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