[发明专利]耀变太阳花窑变釉及其制造方法有效
申请号: | 200710028882.2 | 申请日: | 2007-06-28 |
公开(公告)号: | CN101113106A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 吴渭阳;吴泽腾;吴泽帆 | 申请(专利权)人: | 吴渭阳 |
主分类号: | C04B41/86 | 分类号: | C04B41/86 |
代理公司: | 汕头市潮睿专利事务有限公司 | 代理人: | 丁德轩 |
地址: | 521000广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种耀变太阳花窑变釉,含有以下化学组成和重量百分比:KNaO4~8.5%、SiO250~56%、MgO1.5~7.5%、Fe2O310~16%、Al2O311.5~15.5%、P2O54~18%、CaO2~9%、B2O31~6%、TiO20~0.5%、C0~1%、MnO20.1~0.6%以及其它含量的杂质和釉烧温度下分解或挥发出的化学成分。其制造方法,包含以下步骤:A.将窑变釉混合粉碎,进行湿球磨;B.将上述窑变釉放于陶瓷煅烧后的素坯上施釉;C.釉层干燥后,将已施釉制品置于窑中釉烧。 | ||
搜索关键词: | 太阳 花窑变釉 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种耀变太阳花窑变釉,其特征在于:含有以下化学组成和重量百分比:KNaO 4~8.5%、SiO2 50~56%、MgO 1.5~7.5%、Fe2O3 10~16%、Al2O3 11.5~15.5%、P2O5 4~18%、CaO 2~9%、B2O3 1~6%、TiO2 0~0.5%、C 0~1%、MnO2 0.1~0.6%以及其它含量的杂质和釉烧温度下分解或挥发出的化学成分。
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