[发明专利]硅芯洁净工艺无效
| 申请号： | 200710022738.8 | 申请日： | 2007-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101092752A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 周大荣 | 申请（专利权）人： | 无锡中彩科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214183江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 硅芯洁净工艺，本发明涉及多晶硅的加工工艺，具体地说是一种洁净硅芯的方法。按照本发明提供的技术方案，硅芯洁净工艺包括：a.硅芯预处理：先用无水乙醇擦去硅芯表面的杂质，再用丙酮擦去硅芯表面的油污；b.洁净：将清洁的硅芯置于密闭的反应容器内，在300－320℃的温度下发生如下反应：Si+HCl→SiHCl3+H2；在上述反应过程中，将氢气和氯化氢的混合气体通入反应容器内；c.尾气重复利用：反应产物三氯氢硅和氢气为制备多晶硅的原材料，反应产物通过反应容器内的进出气管回气，通过管道进入还原工段。 | ||
| 搜索关键词： | 洁净 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种硅芯洁净工艺，包括：a、硅芯预处理：先用柔软的物品蘸少量无水乙醇擦去硅芯表面的杂质，再用丙酮擦去硅芯表面的油污；b、洁净：将清洁的硅芯置于密闭的反应容器内，在300-320℃的温度下发生如下反应：Si+HCl→SiHCl3+H2，以清除硅芯表面的氧化层和金属杂质；在上述反应过程中，将氢气和氯化氢的混合气体通入反应容器内，在混合气体中，氯化氢的体积含量为4％～10％，混合气体的流量为40～50Nm3，反应时间为25～35分钟；c、尾气重复利用：反应产物三氯氢硅和氢气为制备多晶硅的原材料，反应产物通过反应容器内的进出气管回气，通过管道进入还原工段。
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