[发明专利]基于双层纳米硅结构的非挥发性浮栅存储器及制备方法无效
| 申请号： | 200710021060.1 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101026194A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 陈坤基;吴良才;王久敏;余林蔚;李伟;徐骏;丁宏林;张贤高;刘奎;王祥;徐岭;黄信凡 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L29/49;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1－10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO2层(23)，厚度为1－2nm或SiNx层，厚度为3－5nm；然后是第一纳米Si层(24)，晶粒尺寸为2－7nm；衬底上第二层隧穿介质层亦为SiO2层(26)，厚度为1－2nm或SiNx层，厚度为3－5nm；然后是第二纳米Si层，晶粒尺寸为2－7nm；第二纳米Si层上淀积形成控制氮化硅介质层，厚度为8－20nm；氧化硅或氮化硅介质层上是多晶硅栅。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 双层 纳米 结构 挥发性 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1-10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，其特征是在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO2层(23)，厚度为1-2nm或SiNx层，厚度为3-5nm；然后是第一纳米Si层(24)，晶粒尺寸为2-7nm；衬底上第二层隧穿介质层亦为SiO2 层(26)，厚度为1-2nm或SiNx层，厚度为3-5nm；然后是第二纳米Si层，晶粒尺寸为2-7nm；第二纳米Si层上淀积形成控制氮化硅介质层，厚度为8-20nm；氧化硅或氮化硅介质层上是多晶硅栅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710021060.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
