[发明专利]氢化非晶硅薄膜太阳电池及制备方法

摘要

本发明公开了一种氢化非晶硅薄膜太阳电池及制备方法，产品包括在铟锡氧化物透明导电膜玻璃上设有第一层Ag/Cr电极，在铟锡氧化物透明导电膜玻璃上依次设置掺硼的p型氢化非晶硅薄膜、本征的i型氢化非晶硅薄膜、掺磷的n型氢化非晶硅薄膜，第一层Ag/Cr电极穿过掺硼的p型氢化非晶硅薄膜层，并伸入本征的i型氢化非晶硅薄膜中，在掺磷的n型氢化非晶硅薄膜上设置SnO₂透明导电薄膜层，在SnO₂透明导电薄膜层上设置第二层Ag/Cr电极。各层依次制得。本发明在廉价的衬底上制备pin结构微晶硅薄膜太阳电池，稳定后的器件转换效率衰减不超过初始效率的10％，有效提高了氢化非晶硅薄膜太阳电池的使用稳定性。

主权项

1、一种氢化非晶硅薄膜太阳电池，其特征是：包括铟锡氧化物透明导电膜玻璃，在铟锡氧化物透明导电膜玻璃上设有第一层Ag/Cr电极，在铟锡氧化物透明导电膜玻璃上依次设置掺硼的p型氢化非晶硅薄膜、本征的i型氢化非晶硅薄膜、掺磷的n型氢化非晶硅薄膜，第一层Ag/Cr电极穿过掺硼的p型氢化非晶硅薄膜层，并伸入本征的i型氢化非晶硅薄膜中，在掺磷的n型氢化非晶硅薄膜上设置SnO2透明导电薄膜层，在SnO2透明导电薄膜层上设置第二层Ag/Cr电极。