[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200710005921.7 | 申请日： | 2007-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101026005A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 大泽隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;H01L27/108;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储器件，包括：具有在电浮动状态下的浮体、并根据在所述浮体内所积累的多个多数载流子的数量来存储数据的存储单元；产生参考信号的虚设单元，基于该参考信号来检测存储于所存储单元中的所述数据；连接到所述存储单元的栅极的字线；连接到所述虚设单元的栅极的虚设字线；连接到所述存储单元的源极或漏极、和所述虚设单元的源极或漏极的位线；以及邻接所述虚设单元的源极或漏极的扩散层，该扩散层的导电类型与所述虚设单元的浮体相同；其中，所述虚设单元的浮体、所述虚设单元的源极或漏极，以及所述扩散层构成双极晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：具有在电浮动状态下的浮体、并根据在所述浮体内所积累的多个多数载流子的数量来存储数据的存储单元；产生参考信号的虚设单元，基于该参考信号来检测存储于所存储单元中的所述数据；连接到所述存储单元的栅极的字线；连接到所述虚设单元的栅极的虚设字线；连接到所述存储单元的源极或漏极、和所述虚设单元的源极或漏极的位线；以及邻接所述虚设单元的源极或漏极的扩散层，该扩散层的导电类型与所述虚设单元的浮体相同；其中，所述虚设单元的浮体、所述虚设单元的源极或漏极，以及所述扩散层构成双极晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710005921.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：超长指令字与单指令流多数据流融合的计算群结构
- 下一篇：一种存储器管理方法
