[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710005811.0 | 申请日： | 2007-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101079445A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 村松谕 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/822;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括硅衬底、应变诱导层、硅层、FET和隔离区。在硅衬底上，提供应变诱导层。在应变诱导层上，提供硅层。应变诱导层在硅层中的FET的沟道区中引起晶格应变。该硅层包括FET。FET包括源/漏区、SD延伸区、栅电极和侧壁。源/漏区和应变诱导层彼此隔开。在FET周围，提供了隔离区。隔离区穿透硅层从而到达应变诱导层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：硅衬底；提供在所述硅衬底上的应变诱导层；提供在所述应变诱导层上的硅层；提供在所述硅层中的场效应晶体管；和隔离区，提供在所述场效应晶体管的周围，并穿透所述硅层从而到达所述应变诱导层；其中所述应变诱导层与所述场效应晶体管的源/漏区隔开，并在所述硅层中的所述场效应晶体管的沟道部分中引起应变。
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