[发明专利]半导体处理用成膜方法和装置无效
| 申请号： | 200710001998.7 | 申请日： | 2007-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101005029A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 周保华;长谷部一秀 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;C23C16/30;C23C16/455;G05D7/06 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在可选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体、含有氮化气体的第二处理气体和含有碳氢化合物气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。该成膜方法，重复实行：对处理区域供给第一处理气体，对处理区域供给第二处理气体，和对处理区域供给第三处理气体。第三处理气体的供给，包括将第三处理气体在由激发机构激发的状态下供给至处理区域的激发期间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 用成膜 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体处理用的成膜方法，其特征在于：在可选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体、含有氮化气体的第二处理气体和含有碳氢化合物气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜，反复进行：对所述处理区域供给所述第一处理气体；对所述处理区域供给所述第二处理气体；和对所述处理区域供给所述第三处理气体，并且，所述第三处理气体的供给，包括将所述第三处理气体在由激发机构激发的状态下供给至所述处理区域的激发期间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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