[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200710001461.0 | 申请日： | 2007-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1996561A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 松田友子;北岛洋 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 抑制了包括在源/漏区域上提供的硅化物层的晶体管的结漏电流。在硅基板芯片侧的表面上形成栅电极之后，在栅电极上形成绝缘层。反向蚀刻该绝缘层，以便于形成覆盖栅电极侧壁的侧壁，并且蚀刻将形成源/漏区域的、硅基板芯片侧的表面上的与侧壁相邻的部分，以便于在芯片侧的表面上形成大体水平的刮削部分。然后将掺杂剂注入到栅电极周围的硅基板，由此形成源/漏区域。在提供了栅电极的硅基板的芯片侧的表面上，形成了Ni层，使得Ni层与硅基板反应，以形成Ni硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在硅基板的芯片侧的表面上形成栅电极；在所述栅电极上形成绝缘层；通过反向蚀刻所述栅电极上和所述硅基板上的所述绝缘层，形成覆盖所述栅电极侧面的侧壁，并且通过蚀刻将形成源/漏区域的、与所述侧壁相邻区域中所述硅基板的所述芯片侧的表面部分进行移除，由此在所述芯片侧的表面上形成大体水平的刮削部分；在形成所述侧壁和所述刮削部分之后，将掺杂剂离子注入到所述栅电极周围的所述硅基板，由此形成所述源/漏区域；在提供所述栅电极的所述硅基板的所述刮削部分上形成金属层；以及使所述金属层同所述硅基板反应，由此在所述源/漏区域上形成硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
