[发明专利]半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序

摘要

由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)，使用由多个层的每一层中的配线图案的图案数据组记述半导体器件的多个配线的构成的配线信息，将多个配线中通过分析区域的配线作为不良的候补配线而抽出，并且，在候补配线的抽出中，通过进行使用图案数据组的配线图案的等电位追踪，从而抽出候补配线。由此，实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

主权项

1. 一种半导体不良分析装置，分析半导体器件的不良，其特征在于，具备：检查信息取得模块，取得进行与不良相关的检查而得到的、包含起因于不良的反应信息的不良观察图像，以作为半导体器件的观察图像；布图信息取得模块，取得所述半导体器件的布图信息；不良分析模块，参照所述不良观察图像和所述布图信息，进行与所述半导体器件的不良相关的分析，所述不良分析模块具有：区域设定模块，用于参照所述不良观察图像，对应于所述的反应信息而设定分析区域；配线信息分析模块，参照所述分析区域，对所述半导体器件的布图所包含的多个配线进行不良分析，所述布图信息，包含由所述半导体器件的层叠构造中的多个层的每一层中的配线图案的图案数据组记述所述半导体器件的所述多个配线的构成的配线信息，所述配线信息分析模块，将所述多个配线中通过所述分析区域的配线作为不良的候补配线而抽出，并且，在所述候补配线的抽出中，通过进行使用所述图案数据组的所述配线图案的等电位追踪，从而抽出所述候补配线。