[发明专利]半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序无效
| 申请号： | 200680054964.8 | 申请日： | 2006-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101484818A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 真岛敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/311 | 分类号： | G01R31/311;G01N21/956 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、以及对半导体器件的不良进行分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)具有分析区域设定部，该分析区域设定部通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出起因于不良的反应区域，并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。由此，实现了一种能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 不良 分析 装置 方法 以及 程序 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体不良分析装置，分析半导体器件的不良，其特征在于，具备：检查信息取得模块，取得进行与不良相关的检查而得到的、包含起因于不良的反应信息的不良观察图像，以作为半导体器件的观察图像；以及不良分析模块，参照所述不良观察图像以及所述半导体器件的布图信息，进行与所述半导体器件的不良相关的分析，所述不良分析模块具有分析区域设定模块，所述分析区域设定模块通过比较所述不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值，从而抽出反应区域，以作为所述反应信息，并对应于所述反应区域而设定用于所述半导体器件的不良分析的分析区域。
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