[发明专利]抗反射硬掩膜组合物有效
申请号: | 200680054744.5 | 申请日: | 2006-12-29 |
公开(公告)号: | CN101449207A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 尹熙灿;金相均;林相学;鱼东善;金钟涉;李镇国;吴昌一;金旼秀;邢敬熙;南伊纳 | 申请(专利权)人: | 第一毛织株式会社 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;李丙林 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明披露了一种抗反射硬掩膜组合物,其具有对于光刻工艺有用的抗反射性能。该硬掩膜组合物提供了优异的光学性能、优异的机械性能以及高的蚀刻选择性。另外,该硬掩膜组合物可以通过旋涂技术容易地施用。有利地,该硬掩膜组合物适用于短波长光刻工艺,并具有最小的剩余酸含量。 | ||
搜索关键词: | 反射 硬掩膜 组合 | ||
【主权项】:
1.一种抗反射硬掩膜组合物,包括(a)具有由式1表示的结构单元的含芳香环聚合物:
其中,m和n是满足0=m<190,0=n<190以及m+n=190关系的整数,条件是m和n两者均不等于零;R1和R3可以相同或不同,它们各自独立地选自氢原子、羟基基团(-OH)、C1-C10烷基基团、C6-C10芳基基团、烯丙基基团和卤素原子;R2和R4可以相同或不同,它们各自独立地选自—CH2—、
和
其中,R5选自氢原子、羟基基团(-OH)、C1-C10烷基基团、C6-C10芳基基团、烯丙基基团和卤素原子,以及(b)有机溶剂。
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