[发明专利]贴合基板的制造方法有效
申请号: | 200680047234.5 | 申请日: | 2006-11-27 |
公开(公告)号: | CN101331585A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 三谷清 | 申请(专利权)人: | 信越半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L27/12 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 潘培坤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明是提供一种贴合基板的制造方法,是贴合有源层用晶圆与支撑基板用晶圆而成的贴合基板的制造方法,其特征是具备:第一制程,是在前述有源层用晶圆的表面,沿着外周部,在整个圆周的内侧,设置沟槽;第二制程,是以设置有前述沟槽的面作为贴合面,来贴合前述有源层用晶圆与前述支撑基板用晶圆;及第三制程,是将前述有源层用晶圆薄膜化,并除去前述有源层用晶圆的沟槽外侧的未结合部分。以此,能提提供一种贴合基板的制造方法,在薄膜化有源层用晶圆时,能够将制程简略化,且能够防止破裂或缺损、产生灰尘等,并能够管理有源层用晶圆的边缘部的形状。 | ||
搜索关键词: | 贴合 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种贴合基板的制造方法,是贴合有源层用晶圆与支撑基板用晶圆而成的贴合基板的制造方法,其特征是具备:第一制程,是在前述有源层用晶圆的表面,沿着外周部,在整个圆周的内侧设置沟槽;第二制程,是以设置有前述沟槽的面作为贴合面,来贴合前述有源层用晶圆与前述支撑基板用晶圆;及第三制程,是将前述有源层用晶圆薄膜化,并除去前述有源层用晶圆的沟槽外侧的未结合部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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