[发明专利]粘接薄膜及使用其的半导体装置无效
| 申请号： | 200680028477.4 | 申请日： | 2006-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101238188A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 北胜勉 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/00 | 分类号： | C09J7/00;C09J163/00;C09J179/08 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种粘接薄膜，其为含有(A)聚酰亚胺树脂及(B)热固化性树脂的粘接薄膜，其特征在于，(A)聚酰亚胺树脂包含具有下述式(I)所表示的重复单元的聚酰亚胺树脂，且以150～230℃热处理0.3～5小时后的250℃的储能模量为0.2MPa以上，(式中，m个R1各自独立地表示2价有机基团；m个R1含有合计k个选自－CH2－、－CHR－及－CR2－的有机基团，其中的R表示碳原子数1～5的非环状烷基；m为8以上的整数，m与k满足k/m≥0.85的关系；R2表示四羧酸的残基。) | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 使用 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种粘接薄膜，其为含有(A)聚酰亚胺树脂及(B)热固化性树脂的粘接薄膜，其特征在于，(A)聚酰亚胺树脂包含具有下述式(I)所表示的重复单元的聚酰亚胺树脂，且以150～230℃热处理0.3～5小时后的250℃的储能模量为0.2MPa以上，![]()
式中，m个R1各自独立地表示2价有机基团；m个R1含有合计k个选自-CH2-、-CHR-及-CR2-的有机基团，其中的R表示碳原子数1～5的非环状烷基；m为8以上的整数，m与k满足k/m≥0.85的关系；R2表示四羧酸的残基。
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