[发明专利]等离子体氮化处理方法、半导体装置的制造方法和等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200680020281.0 | 申请日： | 2006-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN101194345A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;寺本章伸;本多稔;中西敏雄 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的等离子体氮化处理方法，由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理容器内，形成含氮气体的微波激发高密度等离子体，在等离子体处理装置的处理容器内，使该高密度等离子体作用于被处理体表面的硅，在500℃以上的处理温度下进行氮化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 氮化 处理 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体氮化处理方法，其特征在于：在等离子体处理装置的处理容器内，使含氮气体的等离子体作用于被处理体表面的硅，进行氮化处理，形成硅氮化膜，所述等离子体为微波激发高密度等离子体，所述氮化处理的处理温度为500℃以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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