[发明专利]衬底硬化方法及所得器件有效
申请号: | 200680014752.7 | 申请日: | 2006-02-24 |
公开(公告)号: | CN101248519A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 佛朗克斯·J·海恩勒;哈丽·罗伯特·柯克;詹姆斯·安德鲁·苏利凡 | 申请(专利权)人: | 硅源公司 |
主分类号: | H01L21/46 | 分类号: | H01L21/46;H01L21/30;H01L21/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 肖善强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种包含一个或多个器件(例如,光电器件、集成电路)的多层衬底结构。该结构具有操作衬底,该操作衬底具有预定厚度并且杨氏模量为约1MPa-约130GPa。该结构还具有连接至操作衬底的充分结晶材料层。优选地,该充分结晶材料层的厚度为约100μm-约5mm。该结构在充分结晶材料层上具有分裂表面,并且分裂膜的表面粗糙度小于200。在材料层上设置有至少一个或更多个光电器件。 | ||
搜索关键词: | 衬底 硬化 方法 所得 器件 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造多层衬底的方法,所述方法包括:提供施主衬底,所述施主衬底具有第一挠度特性,所述施主衬底具有背面、正面、分裂区以及限定在所述分裂区与所述正面之间的材料层;将所述施主衬底的所述正面结合至操作衬底的正面;将支持衬底连接至所述施主衬底的所述背面,以形成多层结构,所述支持衬底足以使所述施主衬底的所述第一挠度特性减小至预定水平,所述预定水平的挠度特性适于将所述材料层转移到所述操作衬底的所述正面上;以及在所述施主衬底的所述分裂区的一部分内引发受控分裂工艺,从而在所述分裂区的一部分上开始将所述材料层从所述施主衬底去除,同时保持所述支持衬底连接至所述操作衬底,以保持至少合适的挠度特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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