[发明专利]摄像装置以及电子器具无效
| 申请号： | 200680007951.5 | 申请日： | 2006-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101138090A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 西川卓男;丹生和男;高桥弘 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达精密光学株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 曲莹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及的摄像装置，包括：光学部件；半导体摄像元件，其中设有光电变换部和模拟回路部，所述光电变换部对所述光学部件所聚的光进行光电变换并蓄积电信号，具有配线层，所述模拟回路部与该当光电变换部邻接配置，具有配线层，用来输出蓄积在所述光电变换部的所述电信号；光侵入防止部，其防止光线从所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙侵入。 | ||
| 搜索关键词： | 摄像 装置 以及 电子 器具 | ||
【主权项】：
1.一种摄像装置，其特征在于，备有：光学部件；半导体摄像元件，其中设有光电变换部和模拟回路部，所述光电变换部对所述光学部件所聚的光进行光电变换并蓄积电信号，具有配线层，所述模拟回路部与该当光电变换部邻接配置，具有配线层，用来输出蓄积在所述光电变换部的所述电信号；光侵入防止部，其防止光线从所述模拟回路部设有的配线层与所述光电变换部设有的配线层之间隙侵入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
