[发明专利]高纯硅的制备方法无效
| 申请号： | 200680007451.1 | 申请日： | 2006-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101137577A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 伊藤信明;近藤次郎;冈泽健介;冈岛正树 | 申请（专利权）人： | 新日铁高新材料 |
| 主分类号： | C01B33/027 | 分类号： | C01B33/027 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的是提供制备大量价格低廉的用于太阳能电池的高纯硅的方法。公开了一种通过将熔融硅中的杂质转移到矿渣中来制备高纯硅的方法，其包括将矿渣和氧化剂一起加到熔融硅上的步骤，其中所述氧化剂是包含下面材料中的至少一种作为主要组分的材料：碱金属碳酸盐、碱金属碳酸盐的水合物、碱金属氢氧化物、碱土金属碳酸盐、碱土金属碳酸盐的水合物或碱土金属氢氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过将熔融硅中的杂质转移到矿渣中来制备高纯硅的方法，其包括：将氧化剂和矿渣一起加到熔融硅上，其中所述氧化剂是包含选自下面材料中的至少一种作为主要组分的材料：碱金属碳酸盐、碱金属碳酸盐的水合物、碱金属氢氧化物、碱土金属碳酸盐、碱土金属碳酸盐的水合物和碱土金属氢氧化物。
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