[发明专利]清洗硅片刻蚀腔室的方法有效
| 申请号： | 200610165562.7 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101204705A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 付春江 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;郭宗胜 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种清洗硅片刻蚀腔室的方法，首先向刻蚀腔室中通入含氟气体和氧气，对刻蚀腔室中含硅的刻蚀副产物及颗粒进行清洗；然后向刻蚀腔室中通入氯气和氧气，对刻蚀腔室中含碳的刻蚀副产物及颗粒进行清洗。含氟气体主要包括SF6及NF3。能有效清除刻蚀腔室内的硅片刻蚀副产物及颗粒，主要用于清洗半导体硅片加工设备的刻蚀腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 硅片 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种清洗硅片刻蚀腔室的方法，其特征在于，包括步骤：A、向刻蚀腔室中通入含氟气体和氧气，对刻蚀腔室进行清洗工艺；B、向刻蚀腔室中通入氯气和氧气，对刻蚀腔室进行清洗工艺。
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