[发明专利]一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200610165551.9 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101207093A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 赵雷;左玉华;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L29/12;H01L21/20;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种SiGe弛豫衬底材料，该SiGe弛豫衬底材料由Si衬底和在Si衬底上外延生长的SiGe组分渐变缓冲层构成，且在所述SiGe组分渐变缓冲层中插入有n个无应变SiGe隔离层，所述无应变SiGe隔离层将SiGe组分渐变缓冲层分成n+1层，n为自然数。本发明同时公开了一种SiGe弛豫衬底材料的制备方法。利用本发明，有效减小SiGe弛豫衬底的表面粗糙度和位错密度，从而减小整个弛豫衬底的厚度，缩短外延时间，节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sige 衬底 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiGe弛豫衬底材料，其特征在于，该SiGe弛豫衬底材料由Si衬底和在Si衬底上外延生长的SiGe组分渐变缓冲层构成，且在所述SiGe组分渐变缓冲层中插入有n个无应变SiGe隔离层，所述无应变SiGe隔离层将SiGe组分渐变缓冲层分成n+1层，n为自然数。
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