[发明专利]半导体存储器装置的位线控制电路无效

专利信息
申请号: 200610159400.2 申请日: 2006-09-28
公开(公告)号: CN1941190A 公开(公告)日: 2007-04-04
发明(设计)人: 姜吉沃 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C11/4091 分类号: G11C11/4091;G11C11/4094
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邸万奎;黄小临
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种半导体存储器装置,包括:位线感测放大器,用于感测并放大施加于位线上的数据;第一驱动器,用于将该位线感测放大器的上拉电压线驱动至施加于正常驱动电压端子上的电压;过驱动信号产生器,用以响应于有效指令,产生定义过驱动周期的过驱动信号;过驱动控制信号产生器,用于接收该过驱动信号以产生过驱动控制信号,以用于根据过驱动电压的电压电平来选择性执行过驱动操作;及第二驱动器,用以响应于该过驱动控制信号,将该正常驱动电压端子驱动至该过驱动电压。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置 控制电路
【主权项】:
1、一种半导体存储器装置,其包含:位线感测放大器,用于感测并放大施加于位线上的数据;第一驱动器,用于将该位线感测放大器的上拉电压线驱动至施加于正常驱动电压端子上的电压;第二驱动器,用于将该正常驱动电压端子驱动至过驱动电压;过驱动信号产生器,用以响应于有效指令,产生定义过驱动周期的过驱动信号;电平跟随器,用于输出关于该过驱动电压的变化电压;电压电平检测器,用以响应于该电平跟随器的该输出电压,检测该过驱动电压是否高于预定电平;及选择性输出单元,用以响应于该电压电平检测器的输出信号,选择性输出该过驱动信号,其中该第二驱动器受控于该选择性输出单元的该输出信号。
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