[发明专利]显示器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610156731.0 申请日: 2006-12-28
公开(公告)号: CN1991545A 公开(公告)日: 2007-07-04
发明(设计)人: 木村肇 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G02F1/136 分类号: G02F1/136;G02F1/1362;G02F1/133;G02F1/1333;G03F7/20;H01L21/027;G09F9/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 张浩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在半透射液晶显示器件中,需要两个抗蚀剂掩模来形成反射性电极和透明电极;因此成本很高。将用作像素电极的透明电极和反射性电极层叠起来。通过使用包括半透射部分的曝光掩模,在反射性电极上形成抗蚀剂图案,其中所述抗蚀剂图案包括具有厚膜厚度的区域、和膜厚度比所述具有厚膜厚度的区域薄的区域。通过使用该抗蚀剂图案,蚀刻反射性导电膜和透明导电膜。因此可以通过使用一个抗蚀剂掩模形成反射性电极和透明电极。
搜索关键词: 显示 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种显示器件,包括:晶体管;电连接到所述晶体管的透明电极;电连接到所述透明电极的反射性电极;以及电连接到所述晶体管的存储电容器,其中,所述存储电容器的至少一部分形成在所述反射性电极的下面;并且其中,所述反射性电极的整个下表面与所述透明电极的顶表面相接触。
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