[发明专利]磁致伸缩式转矩传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200610154312.3 | 申请日： | 2006-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1940516A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 樫村之哉;土肥瑞穗;原田仁;福田佑一;吉本信彦 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | G01L3/10 | 分类号： | G01L3/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁致伸缩式转矩传感器的制造方法，其具有：在磁致伸缩式转矩传感器(10)的旋转轴(11)上形成磁致伸缩膜(14A、14B)的形成磁致伸缩膜工序(P1)和向在该形成磁致伸缩膜工序(P1)中形成的所述磁致伸缩膜(14A、14B)附加磁各向异性的附加磁各向异性工序(P2)，且具有把旋转轴(11)进行退磁的退磁工序(P32)。退磁工序(P32)被设置在形成磁致伸缩膜工序(P1)后的任一阶段，是把旋转轴(11)上产生的剩磁(MS、MK)进行初始化的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 伸缩 转矩 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁致伸缩式转矩传感器的制造方法，其特征在于，包括：在旋转轴(11)上形成磁致伸缩膜(14A、14B)的工序(P1)、对形成在所述旋转轴上的所述磁致伸缩膜(14A、14B)施予磁各向异性特性的工序(P2)、把所述旋转轴(11)进行退磁的工序(P32)。
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