[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200610149387.2 | 申请日： | 2006-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1967875A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 远藤幸一;佐藤久美子;渡边君则;安原纪夫;末代知子;川口雄介 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体衬底上隔着栅绝缘膜形成栅电极。以夹住该栅电极的方式在半导体衬底的表面上形成了扩散区。以电连接到扩散区上的方式在半导体衬底的表面上形成高电阻层，进而以电连接到该高电阻层上的方式在半导体衬底的表面上形成低电阻层，将漏电极连接到该低电阻层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具备：在半导体区域上隔着栅绝缘膜形成的栅电极；第1扩散区和第2扩散区，以夹住上述栅电极的方式在上述半导体区域的表面上形成，利用对上述栅电极的栅电压的施加而互相导通；第3扩散区，以与上述第1扩散区电连接的方式在上述半导体区域的表面上形成，其杂质浓度比上述第1扩散区的杂质浓度低；第4扩散区，以与上述第3扩散区电连接的方式在上述半导体区域的表面上形成，其杂质浓度比上述第3扩散区的杂质浓度高；与上述第4扩散区电连接的第1主电极；以及与上述第2扩散区电连接的第2主电极。
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