[发明专利]闸流晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610149385.3 | 申请日： | 2006-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1988173A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 艾曼纽尔·索塞多－夫劳斯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/747;H01L21/332 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种闸流晶体管和用于制造该闸流晶体管的方法，该方法包括：提供半导体衬底，该半导体衬底具有第一和第二主表面。在半导体衬底中形成第一掺杂区，其中该第一掺杂区自第一主表面延伸到半导体衬底中。第一掺杂区具有垂直边界，且该垂直边界具有凹口部分。在第一掺杂区中形成第二掺杂区，其中该第二掺杂区自第一主表面延伸到第一掺杂区中。在半导体衬底中形成第三掺杂区，其中第三掺杂区自第二主表面延伸到半导体衬底中。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闸流晶体管，特征在于：具有第一和第二表面的第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的第一掺杂区，自第一表面延伸到半导体衬底中，第一掺杂区在半导体衬底中具有垂直边界，其中一部分垂直边界具有第一凹口；和第一导电类型的第二掺杂区，其从第一表面延伸到第一掺杂区中。
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