[发明专利]双镶嵌结构形成过程中光刻胶图形的去除方法有效
| 申请号： | 200610147322.4 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101202244A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 王荣;王琪;宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双镶嵌结构形成过程中光刻胶图形的去除方法，所述双镶嵌结构形成过程包括：提供一半导体衬底，所述衬底具有预先形成的半导体器件；在所述衬底上形成金属互连线层；在所述金属互连线层表面形成介质层；在所述介质层中刻蚀连接孔；沉积牺牲层和硬掩膜层；涂布底部抗反射层和光致抗蚀剂层，图案化所述底部抗反射层和光致抗蚀剂层形成光刻胶图形；氧气等离子体灰化去除所述底部抗反射层和光致抗蚀剂层。本发明的去除方法能够简化去除工艺并使低介电常数电介质层不被破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 形成 过程 光刻 图形 去除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双镶嵌结构形成过程中光刻胶图形的去除方法，所述双镶嵌结构的形成过程包括：提供一半导体衬底，所述衬底具有预先形成的半导体器件；在所述衬底上形成金属互连线层；在所述金属互连线层表面形成介质层；在所述介质层中刻蚀连接孔；沉积牺牲层和硬掩膜层；涂布底部抗反射层和光致抗蚀剂层，图案化所述底部抗反射层和光致抗蚀剂层形成光刻胶图形；其特征在于还包括：利用等离子体去除所述底部抗反射层和光致抗蚀剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
