[发明专利]存储单元阵列及存储单元

摘要

本发明提供一种存储单元阵列及存储单元，应用于分离字线型的存储单元改良电源栅格设计。一存储单元阵列包括一第一金属层以供局部连接用，一第二金属层以供一位线、一互补位线、以及一设置于该位线与该互补位线之间的第一电压线用，各自大体上为一第一走向，一第三金属层以供一第一多个的第二电压线以及一设置于该第一多个的第二电压线之间的字线用，该各自大体上为一第二走向，以及一第四金属层以供一第二多个的第二电压线之用，各自大体上为一垂直于该第二走向的第一走向。本发明所述的存储单元及存储单元阵列，能提供较低的RC延迟以及较佳的稳定性，此外，其能降低字线的电容。

主权项

1.一种存储单元阵列，其特征在于，该存储单元阵列包括：一第一金属层，以供局部连接用；一第二金属层，以供一位线、一互补位线、以及一位于该位线及互补位线间的第一电压线用，各自为一第一走向；一第三金属层，以供一第一多个的第二电压线以及一位于该第一多个的第二电压线间的字线用，各自为一第二走向；以及一第四金属层，以供一第二多个的第二电压线用，各自为该第一走向，其中该第一走向是垂直于该第二走向。