[发明专利]互补式金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610143596.6 | 申请日： | 2006-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101179051A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 施俊吉 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种互补式金属氧化物半导体图像传感器，其包括基底、光电二极管、一个p型栅极结构与多个n型栅极结构。其中，基底具有一光感测区以及一晶体管元件区。光电二极管配置于光感测区的基底中。p型栅极结构配置于晶体管元件区的基底上。多个n型栅极结构配置于晶体管元件区的基底上。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互补式金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，包括：提供基底，该基底具有光感测区以及晶体管元件区；在该晶体管元件区的该基底中形成p型阱区；在该基底上依序形成介电层以及未掺杂多晶硅层；形成第一掩模层，以覆盖住该光感测区与部分该晶体管元件区的该未掺杂多晶硅层；进行第一离子注入工艺，将n型掺杂剂注入所暴露出的该未掺杂多晶硅层中，以形成n型多晶硅层；移除该第一掩模层；形成第二掩模层，覆盖该n型多晶硅层；进行第二离子注入工艺，将p型掺杂剂注入所暴露出的该未掺杂多晶硅层中，以形成p型多晶硅层；移除该第二掩模层；定义该介电层、该n型多晶硅层与该p型多晶硅层，以于该晶体管元件区的该p型阱区上形成多个n型栅极结构与一p型栅极结构；以及于该光感测区的该基底中形成光电二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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