[发明专利]高耦合比的非挥发性存储器的制造方法

摘要

一种存储器的制造方法，此方法例如是先提供一基底，基底上已形成有第一介电层与图案化的掩模层。于基底中形成多个隔离沟槽。之后，各向同性移除部分掩模层，以暴露出部分第一介电层，接着再形成绝缘材料于这些隔离沟槽中，形成多个隔离结构。继而，移除剩余的掩模层。然后，于基底上形成第二介电层。另外，第一导体层形成于第一介电层及第二介电层之上。接着，第二导体层形成于第一导体层之上。接下来，移除部分隔离结构。然后，形成第三介电层于基底表面。继而，形成第三导体层于第三介电层之上。

主权项

1.一种存储器的制造方法，包括：提供基底，该基底上已形成有第一介电层与图案化的掩模层；移除未被图案化的该掩模层覆盖的该第一介电层与该基底，以形成多个隔离沟槽；各向同性移除部分该掩模层，以曝露出部分该第一介电层；形成绝缘材料于该些隔离沟槽中，与该掩模层高度相约，形成多个隔离结构；移除剩余的该掩模层；移除曝露出的该第一介电层，以曝露出部分该基底；于曝露出部分的该基底形成第二介电层；第一导体层形成于该第一及该第二介电层之上；第二导体层形成于该第一导体层之上，并填满该些隔离结构间的空隙；移除部分该些隔离结构，使该些隔离结构与该第一介电层的高度相约；形成第三介电层于该基底表面；以及形成第三导体层于该第三介电层之上。