[发明专利]图像传感器结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200610143308.7 | 申请日： | 2006-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN101174582A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陈宥先;黄明山;汪嘉将 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种图像传感器结构的制造方法，包括：提供基板；在上述基板上形成图像传感器电路结构；在上述图像传感器电路结构上形成图案化停止层；顺应性地在上述图案化停止层上和未被上述图案化停止层覆盖的上述图像传感器电路结构上依次形成电极层、第一掺杂非晶硅层和第一未掺杂非晶硅层；以及进行平坦化步骤，以移除部分上述第一未掺杂非晶硅层、上述第一掺杂非晶硅层以及上述电极层直至上述图案化停止层，使剩余的上述电极层、上述第一掺杂非晶硅层和上述第一未掺杂非晶硅层被该图案化停止层分隔。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器结构的制造方法，包括下列步骤：提供基板；在该基板上形成图像传感器电路结构；在该图像传感器电路结构上形成图案化停止层；顺应性地在该图案化停止层和未被该图案化停止层覆盖的该图像传感器电路结构上依次形成电极层、第一掺杂非晶硅层和第一未掺杂非晶硅层；以及进行平坦化步骤，以移除部分该第一未掺杂非晶硅层、该第一掺杂非晶硅层以及该电极层直至该图案化停止层，使剩余的该电极层、该第一掺杂非晶硅层和该第一未掺杂非晶硅层被该图案化停止层分隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
