[发明专利]biCMOS器件及biCMOS器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610142898.1 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1956196A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 高光永 | 申请（专利权）人： | 东部电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/73;H01L21/822;H01L21/331 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种包括双极晶体管和多晶硅/绝缘体/多晶硅电容器的biCMOS器件。该biCMOS器件在双极晶体管处可具有相对较低的串联电阻。该双极晶体管可具有理想的放大率。 | ||
| 搜索关键词： | bicmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：半导体衬底；第一阱区，掺有第二导电类型材料并形成在该半导体衬底的第一区中；第二阱区，掺有第一导电类型材料并形成在该半导体衬底的第二区中，其中该第二阱区与该第一阱区相邻；第一阱区的掺杂区，掺有该第二导电类型材料；集电区，形成在该掺杂区中；以及发射区，形成在该第二阱区中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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