[发明专利]半导体装置、电子设备及半导体装置用衬底的制造方法无效
申请号: | 200610141644.8 | 申请日: | 2006-10-09 |
公开(公告)号: | CN101009270A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 吉川则之;竹内登;伊东健一;福田敏行 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/488;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种高频特性不因焊料连接等的安装而受损,也一并具有高可靠性的半导体装置、及搭载有安装了该半导体装置的安装电路衬底的电子设备。半导体装置具备:上部电极(13)及外部端子(14),其突出在半导体装置用衬底(5)的两方的表面上并由贯通电极(29)连接;第一绝缘膜(26),其除了不覆盖上部电极之外,至少覆盖金属图案(6);第二绝缘膜(27),其除了不覆盖外部端子之外,至少覆盖金属图案(15);半导体元件(35),其与上部电极连接,并配置在半导体装置用衬底上,外部端子的焊料连接面(30)配置成比第二绝缘膜的表面高,半导体元件配置在第一绝缘膜上,并与上部电极一同由塑模树脂(28)覆盖。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 电子设备 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其中,在配线衬底上具备半导体元件,所述配线衬底具有:衬底,其在表面形成有金属图案;上部电极及外部端子,其在所述金属图案上突出;贯通电极,其形成有贯通所述衬底,并将所述上部电极和所述外部端子连接的金属镀敷层;第一表面,其形成有除了不覆盖所述上部电极,至少覆盖所述金属图案的第一绝缘膜;第二表面,其形成有除了不覆盖所述外部端子,至少覆盖所述金属图案的第二绝缘膜,所述半导体元件在所述第一表面上与所述上部电极连接,所述上部电极及所述外部端子形成有所述金属镀敷层,并配置成所述上部电极的表面的高度高于所述第一绝缘膜的表面,且所述外部端子的表面的高度高于所述第二绝缘膜的表面。
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