[发明专利]凸点形成用非氰系电解镀金浴有效
| 申请号： | 200610141430.0 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1944716A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 中村宏 | 申请（专利权）人： | 恩伊凯慕凯特股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/48 | 分类号： | C25D3/48;C25D7/12;H01L21/288;H01L21/445 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供抑制掩模材料开口部电镀时的扩大，能够形成与设计尺寸无显著差别的尺寸的凸点或配线的非氰系电解镀金浴。含有作为金源的亚硫酸金碱金属盐或亚硫酸金铵、作为稳定剂的水溶性胺、结晶调节剂、作为传导盐的亚硫酸盐和硫酸盐、缓冲剂、以及聚烷撑二醇和/或两性表面活性剂的凸点形成用非氰系电解镀金浴。聚烷撑二醇的配合量优选0.1mg～10g/L，两性表面活性剂的配合量优选为0.1mg～1g/L。作为两性表面活性剂，优选使用羧基甜菜碱系。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用非氰系 电解 镀金 | ||
【主权项】：
1.凸点形成用非氰系电解镀金浴，其中含有：作为金源的亚硫酸 金碱金属盐或亚硫酸金铵、作为稳定剂的水溶性胺、结晶调节剂、作为 传导盐的亚硫酸盐和硫酸盐、缓冲剂、以及聚烷撑二醇和/或两性表面 活性剂。
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