[发明专利]使用于半导体存储装置中的内部信号产生器无效
| 申请号： | 200610141203.8 | 申请日： | 2006-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1941198A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 辛范柱 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4096 | 分类号： | G11C11/4096 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 钱大勇;蒲迈文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置包括一具有多个管道锁存器的管道锁存器单元，所述管道锁存器中的每一个响应于一外部命令的启动而锁存一外部地址，且响应于一对应于该外部命令的内部命令的启动而输出一内部地址。一管道锁存器控制单元经配置以控制该管道锁存器单元以循序启用该多个管道锁存器。一输出驱动单元经配置以选择性输出该内部地址或该外部地址。该内部命令是在始于该外部命令的一启动时序的一预定延时之后予以启动。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 半导体 存储 装置 中的 内部 信号 产生器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其包含：一管道锁存器单元，其包括多个管道锁存器，所述管道锁存器中的每一个响应于一内部命令的启动而锁存并输出一内部地址；一管道锁存器控制单元，其经配置以控制该管道锁存器单元以循序启用该多个管道锁存器；及一输出驱动单元，其经配置以选择性输出该内部地址或该外部地址，其中该内部命令是在始于一对应外部命令的一启动的一预定延时之后予以启动。
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