[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200610135603.8 | 申请日： | 2006-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1953141A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 藤田修 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/76;H01L21/00;C23F4/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种能抑制P型阱和N型阱的接合面上的漏泄电流的产生的半导体装置的制造方法，包含：采用第1蚀刻气体对硅基板进行选择性干蚀刻而形成第1沟槽部(109)的工序；以及采用第2蚀刻气体在第1沟槽部(109)的底部对硅基板(101)进一步进行干蚀刻，形成包含从第1沟槽部(109)的底部向下方扩径的部分的第2沟槽部(113)的工序。在形成第2沟槽部(113)的所述工序中，采用氯气和碳氟化合物气体的混合气体作为所述第2蚀刻气体，并且与形成第1沟槽部(109)的所述工序相比，在较低的偏置电压下进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包含：采用第1蚀刻气体对硅基板进行选择性干蚀刻而形成第1沟槽部的工序；以及采用第2蚀刻气体在所述第1沟槽部的底部对所述硅基板进一步进行干蚀刻，形成包含从所述第1沟槽部的底部向下方扩径的部分的第2沟槽部的工序，在形成所述第2沟槽部的所述工序中，采用氯气和碳氟化合物气体的混合气体作为所述第2蚀刻气体，并且与形成所述第1沟槽部的所述工序相比，在较低的偏置电压下进行蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
